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APT9M100B

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT9M100B
Référence TME:
APT9M100B

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
6A
Courant du drain dans l'impulsion
37A
Puissance de dissipation
335W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,4Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
80nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut6.05 g
Certificates

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APT9M100B
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 4.73 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 4.73 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 4.39 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 4.39 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 4.07 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 4.07 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs