APTGT30TL601G
Module: IGBT; diode/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase; SP1
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APTGT30TL601G
Référence TME:
APTGT30TL601G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Topologie | onduleur 3-niveaux 1-phase | |
Tension inverse max. | 0,6kV | |
Courant du collecteur | 30A | |
Boîtier | SP1 | |
Utilisation | photovoltaïque | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 60A | |
La technologie | Field Stop, Trench | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut80 g
Certificates
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* APTGT30TL601GNombre de pièces (Multiplication: 18)
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Prix net pour les quantités de 18 pcs - 51.46 USDPrix brut pour les quantités de 18 pcs - 51.46 USD
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