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Fabricant	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	RF
Tension drain-source	500V
Courant du drain	10A
Puissance de dissipation	910W
Boîtier	T3A-8
Tension entrée-source	±30V
Genre de la emballage	tube
Fréquence	128MHz
Genre de canal	appauvri
Construction de semi-conducteur	source commune
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	dual gate
Puissance de base	900W
Montage électrique	brasage, FASTON connecteurs, THT
Amplification	16dB
Performance	55%
Montage mécanique	vissés

ARF475FL

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8

Spécification

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque