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AS6C2016-55BIN

IC: mémoire SRAM; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2,7÷5,5V; 55ns; TFBGA48

Fabricant: ALLIANCE MEMORY

Marque du fabricant:
AS6C2016-55BIN
Référence TME:
AS6C2016-55BIN

Spécification

Fabricant
ALLIANCE MEMORY
Type de circuit intégré
mémoire SRAM
Genre de mémoire
asynchrone, SRAM
Mémoire
2Mb SRAM
Organisation de mémoire
128kx16bit
Tension de travail
2,7...5,5V
Temps d'accès
55ns
Boîtier
TFBGA48
Type interface
parallèle
Montage
SMD
Caractéristiques des circuits intégrés
LPC
Poids brut0.43 g
Certificates

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AS6C2016-55BIN
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