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AS6C8016B-55ZIN

IC: mémoire SRAM; 8MbSRAM; 512kx16bit; 3V; 55ns; TSOP44 II; 400mils

Fabricant: ALLIANCE MEMORY

Marque du fabricant:
AS6C8016B-55ZIN
Référence TME:
AS6C8016B-55ZIN

Spécification

Fabricant
ALLIANCE MEMORY
Type de circuit intégré
mémoire SRAM
Genre de mémoire
asynchrone, SRAM
Mémoire
8Mb SRAM
Organisation de mémoire
512kx16bit
Tension de travail
3V
Temps d'accès
55ns
Boîtier
TSOP44 II
Montage
SMD
Caractéristiques des circuits intégrés
LPC
largeur du circuit
400mils
Température de travail
-40...85°C
Poids brut0.1 g
Certificates

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AS6C8016B-55ZIN
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