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B1D08065KS

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B1D08065KS
Référence TME:
B1D08065KS

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
650V
Courant de conduction
8A
Construction de semi-conducteur
diode simple
Boîtier
TO220ISO
Tension de conduction max.
1,73V
Courant d'impulsion max.
64A
courant de fuite
10µA
Puissance de dissipation
32W
Genre de la emballage
tube
Poids brut2.087 g
Certificates

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B1D08065KS
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