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B1M080120HK

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B1M080120HK
Référence TME:
B1M080120HK

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
27A
Courant du drain dans l'impulsion
80A
Puissance de dissipation
241W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée-source
-5...20V
Résistance en état de conduction
80mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
149nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut6.7 g
Certificates

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B1M080120HK
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 22.88 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 22.88 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 20.60 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 20.60 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 18.19 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 18.19 USD
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 15.22 USDPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 15.22 USD
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 14.79 USDPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 14.79 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs