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B2D20065H1

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2D20065H1
Référence TME:
B2D20065H1

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
650V
Courant de conduction
20A
Construction de semi-conducteur
diode simple
Boîtier
TO247-2
Tension de conduction max.
1,7V
Courant d'impulsion max.
146A
courant de fuite
15µA
Puissance de dissipation
130W
Genre de la emballage
tube
Poids brut5.89 g
Certificates

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B2D20065H1
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs