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B2D20065TF

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2D20065TF
Référence TME:
B2D20065TF
BASiC SEMICONDUCTOR - logo

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
650V
Courant de conduction
10A x2
Construction de semi-conducteur
catode commune, double
Boîtier
TO3PF
Tension de conduction max.
1,62V
Courant de conduction max.
20A
Courant d'impulsion max.
70A
courant de fuite
20µA
Puissance de dissipation
33W
Genre de la emballage
tube
Poids brut5.445 g
Certificates

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B2D20065TF
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs