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B2D20120HC1

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2D20120HC1
Référence TME:
B2D20120HC1

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant de conduction
10A x2
Construction de semi-conducteur
catode commune, double
Boîtier
TO247-3
Tension de conduction max.
2V
Courant de conduction max.
20A
Courant d'impulsion max.
90A
courant de fuite
40µA
Puissance de dissipation
60W
Genre de la emballage
tube
Poids brut6.2 g
Certificates

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B2D20120HC1
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 5.96 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 5.96 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 5.35 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 5.35 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 4.73 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 4.73 USD
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 3.97 USDPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 3.97 USD
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 3.83 USDPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 3.83 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs