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B2D40120HC1

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2D40120HC1
Référence TME:
B2D40120HC1

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant de conduction
20A x2
Construction de semi-conducteur
catode commune, double
Boîtier
TO247-3
Tension de conduction max.
1,92V
Courant de conduction max.
40A
Courant d'impulsion max.
180A
courant de fuite
30µA
Puissance de dissipation
112W
Genre de la emballage
tube
Poids brut6.245 g
Certificates

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B2D40120HC1
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