NOUVEAUTÉ
B2M040120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
B2M040120H
Référence TME:
B2M040120H
Spécification
Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type de transistor | N-MOSFET | ||
La technologie | SiC | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Tension drain-source | 1,2kV | ||
Courant du drain | 48A | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 123A | ||
Puissance de dissipation | 333W | ||
Boîtier | TO247-3 | ||
Tension entrée-source | -4...18V | ||
Résistance en état de conduction | 40mΩ | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 90nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Genre de canal | enrichi |
Poids brut1 g
Certificates
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* B2M040120HNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.62 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.62 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 3.27 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 3.27 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.89 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.89 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 2.59 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 2.59 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 2.42 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 2.42 USD