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B2M040120H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 48A; Idm: 123A; 333W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2M040120H
Référence TME:
B2M040120H

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
48A
Courant du drain dans l'impulsion
123A
Puissance de dissipation
333W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
40mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
90nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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B2M040120H
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.65 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.65 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 3.30 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 3.30 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.91 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.91 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 2.62 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 2.62 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 2.45 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 2.45 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)