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B2M040120Z

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 51A; Idm: 128A; 348W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2M040120Z
Référence TME:
B2M040120Z

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
51A
Courant du drain dans l'impulsion
128A
Puissance de dissipation
348W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
40mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
90nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut1 g
Certificates

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B2M040120Z
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.86 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.86 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 3.48 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 3.48 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 3.06 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 3.06 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 2.76 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 2.76 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 2.58 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 2.58 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)