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B2M065120R

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 24A; Idm: 85A; 150W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2M065120R
Référence TME:
B2M065120R

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
24A
Courant du drain dans l'impulsion
85A
Puissance de dissipation
150W
Boîtier
TO263-7
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
65mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut1.44 g
Certificates

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B2M065120R
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 10.70 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 10.70 USD
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