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B2M065120Z

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2M065120Z
Référence TME:
B2M065120Z

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
33A
Courant du drain dans l'impulsion
85A
Puissance de dissipation
250W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
65mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut6.647 g
Certificates

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B2M065120Z
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 13.00 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 13.00 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 11.70 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 11.70 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 10.31 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 10.31 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 9.28 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 9.28 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs