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En savoir plus iciFabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type de transistor | N-MOSFET | ||
La technologie | SiC | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Tension drain-source | 1,2kV | ||
Courant du drain | 28A | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 68A | ||
Puissance de dissipation | 187W | ||
Boîtier | TO247-3 | ||
Tension entrée-source | -4...18V | ||
Résistance en état de conduction | 80mΩ | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 46nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Genre de canal | enrichi |