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B2M080120R

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 26A; Idm: 68A; 164W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2M080120R
Référence TME:
B2M080120R

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
26A
Courant du drain dans l'impulsion
68A
Puissance de dissipation
164W
Boîtier
TO263-7
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
80mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
46nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut1 g
Certificates

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B2M080120R
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.80 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.80 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.59 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.59 USD
Prix net pour les quantités de 400 pcs - 1.44 USDPrix brut pour les quantités de 400 pcs - 1.44 USD
Prix net pour les quantités de 800 pcs - 1.34 USDPrix brut pour les quantités de 800 pcs - 1.34 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)