NOUVEAUTÉ
B2M160120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 16A; Idm: 39A; 123W
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
B2M160120H
Référence TME:
B2M160120H
Spécification
Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 16A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 39A | |
Puissance de dissipation | 123W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée-source | -4...18V | |
Résistance en état de conduction | 0,16Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 26nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut1 g
Certificates
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M160120HNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.65 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.65 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.47 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.47 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 1.30 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 1.30 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 1.17 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 1.17 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 1.09 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 1.09 USD