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B2M160120R

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 15A; Idm: 39A; 117W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2M160120R
Référence TME:
B2M160120R

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
15A
Courant du drain dans l'impulsion
39A
Puissance de dissipation
117W
Boîtier
TO263-7
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
0,16Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
26nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut1 g
Certificates

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B2M160120R
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.19 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.19 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.05 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.05 USD
Prix net pour les quantités de 400 pcs - 0.95 USDPrix brut pour les quantités de 400 pcs - 0.95 USD
Prix net pour les quantités de 800 pcs - 0.88 USDPrix brut pour les quantités de 800 pcs - 0.88 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)