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B3M040065H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B3M040065H
Référence TME:
B3M040065H

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
47A
Courant du drain dans l'impulsion
108A
Puissance de dissipation
250W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
-5...18V
Résistance en état de conduction
40mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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B3M040065H
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.17 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.17 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.96 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.96 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 1.73 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 1.73 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 1.56 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 1.56 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 1.45 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 1.45 USD
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