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BD82006FVJ-MGE2

IC: power switch; high-side; 500mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSSOP-B8J

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
BD82006FVJ-MGE2
Référence TME:
BD82006FVJ-MGE2

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de circuit intégré
power switch
Genre de circuit intégré
high-side
Courant de base
0,5A
Nombre de canaux
1
Genre de sortie
N-Channel
Montage
SMD
Boîtier
TSSOP-B8J
Résistance en état de conduction
0,11Ω
Etat actif
haut
Température de travail
-40...85°C
Protection
à sous tension UVP, de surintensité OCP, surchauffe OTP
Tension d'alimentation
  • 2,7...5,5V
Poids brut1 g
Certificates
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BD82006FVJ-MGE2
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