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BFU725F/N1,115

Transistor: NPN; bipolaire; RF; 2,8V; 40mA; 136mW; SOT343F

Fabricant: NXP

Marque du fabricant:
BFU725F/N1,115
Référence TME:
BFU725F/N1.115

Spécification

Fabricant
NXP
Type de transistor
NPN
Polarisation
bipolaire
Genre de transistor
RF
Tensions collecteur-émetteur
2,8V
Courant du collecteur
40mA
Puissance de dissipation
136mW
Boîtier
SOT343F
Renforcement du transistor
160...400
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Fréquence
110GHz
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
silicon germanium transistor (SiGe)
Poids brut0.015 g
Certificates

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BFU725F/N1,115
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