BGH50N65HS1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
BGH50N65HS1
Référence TME:
BGH50N65HS1
Spécification
Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Tensions collecteur-émetteur | 650V | |
Courant du collecteur | 50A | |
Puissance de dissipation | 357W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 308nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 54ns | |
Temps d'extinction | 256ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut6.26 g
Certificates
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* BGH50N65HS1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
34 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 11.02 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 11.02 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 9.92 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 9.92 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 8.76 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 8.76 USD
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 7.34 USDPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 7.34 USD
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 7.08 USDPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 7.08 USD
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs