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BGH75N120HF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
BGH75N120HF1
Référence TME:
BGH75N120HF1

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop, SiC SBD, Trench
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
75A
Puissance de dissipation
568W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
THT
Charge d'entrée
398nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
140ns
Temps d'extinction
443ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.217 g
Certificates

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BGH75N120HF1
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 11.50 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 11.50 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 10.40 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 10.40 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 9.20 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 9.20 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 8.28 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 8.28 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs