BGH75N120HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
BGH75N120HF1
Référence TME:
BGH75N120HF1
Spécification
Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type de transistor | IGBT | ||
La technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Tensions collecteur-émetteur | 1,2kV | ||
Courant du collecteur | 75A | ||
Puissance de dissipation | 568W | ||
Boîtier | TO247-3 | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 398nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Temps de connection | 140ns | ||
Temps d'extinction | 443ns | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut6.217 g
Certificates
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* BGH75N120HF1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
5 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 11.45 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 11.45 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 10.36 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 10.36 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 9.16 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 9.16 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 8.23 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 8.23 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs