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BR24G01FVT-3GE2

IC: mémoire EEPROM; 1kbEEPROM; 2-wire,I2C; 128x8bit; 400kHz; série

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
BR24G01FVT-3GE2
Référence TME:
BR24G01FVT-3GE2

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de circuit intégré
mémoire EEPROM
Genre de mémoire
EEPROM
Mémoire
1kb EEPROM
Organisation de mémoire
128x8bit
Fréquence d'horloge
400kHz
Montage
SMD
Boîtier
TSSOP-B8
Type interface
série
Température de travail
-40...85°C
Temps d'accès
5ms
Genre de la emballage
bande, rouleau
Interface
  • 2-wire
  • I2C
Tension d'alimentation
  • 1,6...5,5V DC
Poids brut0.5 g
Certificates
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BR24G01FVT-3GE2
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