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BR25H040FVT-2CE2

IC: mémoire EEPROM; 4kbEEPROM; SPI; 512x8bit; 10MHz; TSSOP-B8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
BR25H040FVT-2CE2
Référence TME:
BR25H040FVT-2CE2

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de circuit intégré
mémoire EEPROM
Genre de mémoire
EEPROM
Mémoire
4kb EEPROM
Interface
SPI
Organisation de mémoire
512x8bit
Fréquence d'horloge
10MHz
Montage
SMD
Boîtier
TSSOP-B8
Type interface
série
Température de travail
-40...125°C
Temps d'accès
4ms
Genre de la emballage
bande, rouleau
Tension d'alimentation
  • 2,5...5,5V DC
Poids brut0.5 g
Certificates
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BR25H040FVT-2CE2
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