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BSS138LT3G

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 50V; 0,2A; Idm: 0,8A; 0,225W


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
BSS138LT3G
Référence TME:
BSS138LT3G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
50V
Courant du drain
0,2A
Courant du drain dans l'impulsion
0,8A
Puissance de dissipation
0,225W
Boîtier
SOT23
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
3,5Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.021 g
Certificates

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BSS138LT3G
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 10 000 pcs