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Fabricant | NEXPERIA | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -50V | |
Courant du drain | -100mA | |
Puissance de dissipation | 445mW | |
Boîtier | SC88, SOT363, TSSOP6 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 13,5Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 0,35nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |