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BV1LF080EFJ-CE2

IC: power switch; low-side; 1A; Ch: 1; SMD; HTSOP-J8; -40÷150°C

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
BV1LF080EFJ-CE2
Référence TME:
BV1LF080EFJ-CE2

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de circuit intégré
power switch
Genre de circuit intégré
low-side
Courant de base
1A
Nombre de canaux
1
Montage
SMD
Boîtier
HTSOP-J8
Résistance en état de conduction
0,18Ω
Température de travail
-40...150°C
Protection
à sous tension UVP, de surintensité OCP, surchauffe OTP
Tension d'alimentation
  • 3,5...6,5V
Poids brut1 g
Certificates
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BV1LF080EFJ-CE2
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