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Fabricant	ONSEMI
Type de circuit intégré	mémoire EEPROM
Genre de mémoire	EEPROM
Mémoire	1kb EEPROM
Interface	Microwire
Organisation de mémoire	128x8/64x16bit
Tension de travail	1,8...5,5V
Fréquence d'horloge	4MHz
Montage	SMD
Boîtier	TSSOP8
Type interface	série
Température de travail	-40...85°C
Temps d'accès	250ns
Genre de la emballage	bande, rouleau

CAT93C46BYI-GT3

IC: mémoire EEPROM; 1kbEEPROM; Microwire; 128x8/64x16bit; 4MHz

Spécification