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CSD17308Q3T

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 50A; Idm: 167A; 2,7W


Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS

Marque du fabricant:
CSD17308Q3T
Référence TME:
CSD17308Q3T

Spécification

Fabricant
TEXAS INSTRUMENTS
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
NexFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
50A
Courant du drain dans l'impulsion
167A
Puissance de dissipation
2,7W
Boîtier
VSON-CLIP8
Tension entrée-source
±10V
Résistance en état de conduction
9,4mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
3,9nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Dimensions
3,3x3,3mm
Poids brut0.199 g
Certificates

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CSD17308Q3T
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 250 pcs