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CSD19538Q2T

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 14,4A; 20,2W; WSON6; 2x2mm

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS

Marque du fabricant:
CSD19538Q2T
Référence TME:
CSD19538Q2T

Spécification

Fabricant
TEXAS INSTRUMENTS
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
NexFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
14,4A
Puissance de dissipation
20,2W
Boîtier
WSON6
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
49mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
4,3nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Dimensions
2x2mm
Poids brut0.132 g
Certificates

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CSD19538Q2T
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 250 pcs