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En savoir plus iciFabricant: TEXAS INSTRUMENTS
Fabricant | TEXAS INSTRUMENTS | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | NexFET™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -8V | |
Courant du drain | -5A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -108A | |
Puissance de dissipation | 1,7W | |
Boîtier | DSBGA9 | |
Tension entrée-source | ±6V | |
Résistance en état de conduction | 9,1mΩ | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |