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CSD23202W10T

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -12V; -2,2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4


Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS

Marque du fabricant:
CSD23202W10T
Référence TME:
CSD23202W10T

Spécification

Fabricant
TEXAS INSTRUMENTS
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
NexFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-12V
Courant du drain
-2,2A
Courant du drain dans l'impulsion
-25A
Puissance de dissipation
1W
Boîtier
DSBGA4
Tension entrée-source
±6V
Résistance en état de conduction
123mΩ
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.001 g
Certificates

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CSD23202W10T
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