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CSD25481F4T

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -2,5A; Idm: -13,1A; 500mW

Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS

Marque du fabricant:
CSD25481F4T
Référence TME:
CSD25481F4T

Spécification

Fabricant
TEXAS INSTRUMENTS
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
NexFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-2,5A
Courant du drain dans l'impulsion
-13,1A
Puissance de dissipation
0,5W
Boîtier
PICOSTAR3
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
0,8Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.001 g
Certificates

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CSD25481F4T
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