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Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS
Fabricant | TEXAS INSTRUMENTS | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | NexFET™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -1,6A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -22A | |
Puissance de dissipation | 0,75W | |
Boîtier | DSBGA6 | |
Tension entrée-source | ±6V | |
Résistance en état de conduction | 0,15Ω | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Construction de semi-conducteur | source commune | |
Version | ESD |