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En savoir plus iciFabricant: TEXAS INSTRUMENTS
Fabricant | TEXAS INSTRUMENTS | ||
Type de transistor | N-MOSFET x2 | ||
La technologie | NexFET™ | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Tension drain-source | 20V | ||
Puissance de dissipation | 1,7W | ||
Boîtier | PICOSTAR4 | ||
Tension entrée-source | ±10V | ||
Résistance en état de conduction | 36mΩ | ||
Montage | SMD | ||
Genre de la emballage | bande, rouleau | ||
Genre de canal | enrichi | ||
Construction de semi-conducteur | drain commun | ||
Version | ESD |