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Fabricant	TEXAS INSTRUMENTS
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	14A
Puissance de dissipation	2,5W
Résistance en état de conduction	4,6mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	40nC
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	drain commun

CSD87501LT

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 14A; 2,5W; drain commun

Spécification