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DACMH160N1200

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 110A; HB9434; vissés; 580W

Fabricant: DACO Semiconductor

Marque du fabricant:
DACMH160N1200
Référence TME:
DACMH160N1200-DCO

Spécification

Fabricant
DACO Semiconductor
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
110A
Boîtier
HB9434
Topologie
demi-pont MOSFET
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
20mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
400A
Puissance de dissipation
580W
La technologie
SiC
Tension entrée-source
-5...20V
Température de travail
-55...150°C
Montage mécanique
vissés
Poids brut174.9 g
Certificates

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DACMH160N1200
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