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DACMI160N1200

Module; transistor simple; 1,2kV; 110A; SOT227B; vissés; Idm: 400A

Fabricant: DACO Semiconductor

Marque du fabricant:
DACMI160N1200
Référence TME:
DACMI160N1200-DCO

Spécification

Fabricant
DACO Semiconductor
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
110A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
20mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
400A
Puissance de dissipation
580W
La technologie
SiC
Tension entrée-source
-5...20V
Température de travail
-55...150°C
Montage mécanique
vissés
Poids brut40 g
Certificates

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DACMI160N1200
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 78.13 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 78.13 USD
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