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DACMI200N1200

Module; transistor simple; 1,2kV; 125A; SOT227B; vissés; Idm: 500A

Fabricant: DACO Semiconductor

Marque du fabricant:
DACMI200N1200
Référence TME:
DACMI200N1200-DCO

Spécification

Fabricant
DACO Semiconductor
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
125A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
15mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
500A
Puissance de dissipation
980W
La technologie
SiC
Tension entrée-source
-10...20V
Température de travail
-55...150°C
Montage mécanique
vissés
Poids brut174.28 g
Certificates

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DACMI200N1200
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 182.53 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 182.53 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantCarton = 5 pcs