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DAGNH2001200

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV

Fabricant: DACO Semiconductor

Marque du fabricant:
DAGNH2001200
Référence TME:
DAGNH2001200-DCO

Spécification

Fabricant
DACO Semiconductor
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
200A
Boîtier
HW9434
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
400A
Puissance de dissipation
1,3kW
Montage mécanique
vissés
Poids brut200 g
Certificates

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DAGNH2001200
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 85.21 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 85.21 USD
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