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DCG10P1200HR

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 12,5A; ISO247™; tube

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
DCG10P1200HR
Référence TME:
DCG10P1200HR

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant de conduction
12,5A
Construction de semi-conducteur
série double
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
commutation ultra rapide
Boîtier
ISO247™
Tension de conduction max.
2,2V
Courant d'impulsion max.
750A
Genre de la emballage
tube
Poids brut4.2 g
Certificates
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DCG10P1200HR
10 dans l'entrepôt TME
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