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Fabricant	IXYS
Type de diode	redressement Schottky
La technologie	SiC
Montage	THT
Tension inverse max.	1,2kV
Courant de conduction	12,5A x2
Construction de semi-conducteur	catode commune, double
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	commutation ultra rapide
Boîtier	ISO247™
Tension de conduction max.	2,2V
Courant d'impulsion max.	750A
Genre de la emballage	tube

DCG20C1200HR

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 12,5Ax2; ISO247™

Spécification