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DG10X06T1

Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
DG10X06T1
Référence TME:
DG10X06T1

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
19A
Puissance de dissipation
196W
Boîtier
TO220
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
30A
Montage
THT
Charge d'entrée
70nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
21ns
Temps d'extinction
208ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut2.022 g
Certificates
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DG10X06T1
131 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.51 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.51 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.36 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.36 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.21 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.21 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.08 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.08 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs