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DG15X12T2

Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
DG15X12T2
Référence TME:
DG15X12T2

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
15A
Puissance de dissipation
138W
Boîtier
TO247
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
45A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,12µC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
103ns
Temps d'extinction
484ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.11 g
Certificates
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DG15X12T2
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs