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DG20X06T1

Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
DG20X06T1
Référence TME:
DG20X06T1

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
29A
Puissance de dissipation
313W
Boîtier
TO220
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
60A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,14µC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
26ns
Temps d'extinction
200ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut2.013 g
Certificates
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*
DG20X06T1
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.98 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.98 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.77 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.77 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.58 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.58 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.41 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.41 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs