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DG50X07T2

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
DG50X07T2
Référence TME:
DG50X07T2

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
714W
Boîtier
TO247
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,35µC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
36ns
Temps d'extinction
200ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.93 g
Certificates
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DG50X07T2
50 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 4.17 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 4.17 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 3.75 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 3.75 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 3.33 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 3.33 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.99 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.99 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs