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DG50X12T2

Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
DG50X12T2
Référence TME:
DG50X12T2

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
592W
Boîtier
TO247PLUS
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,35µC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
180ns
Temps d'extinction
607ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.98 g
Certificates
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DG50X12T2
60 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 8.78 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 8.78 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 7.90 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 7.90 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 6.98 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 6.98 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs