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Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Fabricant | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
Type de transistor | IGBT | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 75A | |
Puissance de dissipation | 852W | |
Boîtier | TO247PLUS | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 225A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 0,49µC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 163ns | |
Temps d'extinction | 559ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |