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DG75X12T2

Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
DG75X12T2
Référence TME:
DG75X12T2

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
75A
Puissance de dissipation
852W
Boîtier
TO247PLUS
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
225A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,49µC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
163ns
Temps d'extinction
559ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.89 g
Certificates
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DG75X12T2
58 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 11.51 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 11.51 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 10.36 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 10.36 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 9.15 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 9.15 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs